日本尔必达今天宣布，已经采用业界最先进的25nm cmos工艺制造出了2gb(也就是128mb)容量的ddr3 sdram内存颗粒。
尔必达宣称这种2gb ddr3内存颗粒的芯片面积是全球最小的，但没有公布具体数字。该芯片数据带宽x4-bit/x8-bit，数据传输率可达18666mbps或更高(也就是工作频率1866+mhz)，工作温度范围0-95℃，供电电压1.5v或者1.35v，可以做成高性能ddr3-1866或者低电压ddr3l-1600内存条。
相比于之前的30nm工艺，尔必达新开发的25nm工艺每个比特所需要的存储单元空间减少了30％，整个晶圆的芯片切割数量也因此增加了30％。
新技术ddr3颗粒
此外通过15％的操作电流节省、20％的待机电流节省，尔必达的25nm工艺还能有效降低内存功耗，为节能环保做出贡献。
尔必达将于今年七月份开始批量投产这种25nm 2gb ddr3 sdram内存颗粒，并计划在今年年底量产4gb大容量型号，晶圆产能可大幅增加44％，此外新工艺还会用于移动型的mobile ram。
(本文来源：中关村在线网站 )
