上周intel美光合资的imft公司刚刚宣布20nm闪存工艺，创造了闪存制造技术的新纪录。本周这一纪录马上再被打破，东芝今天就宣布了自己的19nm nand闪存制造技术。
东芝表示，该技术目前已经应用在2bpc（即mlc）64gbit（8gb）nand闪存芯片上，可用于固态硬盘或智能手机、平板机内置存储等。未来还将应用于3bpc产品，主要用于u盘存储卡等。
东芝表示，其19nm工艺nand闪存产品支持toggle ddr2.0标准，可提升传输速度。同时由于工艺提升导致的芯片面积下降，他们可以在同一颗芯片内封装16片64gbit 闪存，实现单芯片128gb容量，面向智能手机、平板机等空间有限的产品。
东芝的19nm工艺2bpc（mlc）64gbit nand闪存将于本月底出货样品，今年第三季度实现量产，基本和intel/美光的20nm工艺同步。
(本文来源：驱动之家mydrivers )
