【pconline 资讯】2011年4月15日，如果一切按英特尔与美光nand闪存合资企业的计划，我们可能会在今年晚些时候看到ssd的第二个迭代，两家公司今天已经宣布，他们的第一个nand快闪记忆体制造厂，将开始生产20nm的8gb的mlc nand闪存内存。 目前还不清楚这种工艺的制程技术究竟能够将单芯片的体积缩小多少，但这不但意味着节省成本的降低，也意味着未来的存储设备可以做得更小。

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什么是迭代？

　　迭代：迭代包括产生产品发布（稳定、可执行的产品版本）的全部开发活动和要使用该发布必需的所有其他外围元素。

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　　虽然今年已经有很多企业开始使用25nm工艺生产nand flash存储芯片，但intel美光这次又走在了行业的前头。负责此次工艺升级并量产芯片的工厂位于美国犹他州，除了他们在弗吉尼亚州的工厂外，这个工厂是intel第二家应用新制程的工厂，相信第三家进行升级的将是他们位于新加坡的工厂。

　　从imft公司给出的上面这张示意图，我们可以清楚的看出三代工艺制程下，芯片面积大小的区别，即便是与25nm的芯片对比，20nm工艺芯片也比后者小大约30%（上图34nm芯片为4gb芯片、25nm和20nm芯片为8gb芯片）。25nm芯片为167平方毫米，而新的20nm的芯片只有118平方毫米。

　　这种芯片的应用，据称可以缩小ssd（固态硬盘）pcb 30%至40%的面积，预计新工艺的应用最终在ssd上的体现将会在今年年底，并预计售价将会进一步降低，而性能说不定也会更强。