尽管受地震影响出现停工现象，但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天，他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品，基于30nm工艺的ddr2 mobile-ram。
新款mobile-ram单颗容量为4gb（512mb），频率ddr2 1066mhz，电压1.2v。相比40nm 2gb产品，新品30nm 4gb颗粒的功耗下降了30%，占用pcb空间也随之下降。
新品4gb 30nm ddr2 mobile-ram将使用pop或fbga封装，也可向客户提供裸版芯片用于mcp多芯片封装。mcp形式下可提供4gb、8gb、16gb容量。预计该芯片本月内可出货样品，6月份投入量产。
(本文来源：驱动之家mydrivers )
